Design and characterisations of double-channel GaAs pHEMT Schottky diodes based on vertically stacked MMICs for a receiver protection limiter
نویسندگان
چکیده
منابع مشابه
Graphite based Schottky diodes on Si, GaAs, and 4H-SiC
Todd Schumann, Sefaattin Tongay, Arthur F. Hebard Department of Physics, University of Florida, Gainesville FL 32611 This article demonstrates the formation of Schottky diodes on silicon (Si), gallium arsenide (GaAs), and 4H-silicon carbide (4H-SiC) using the semimetal graphite. The forward bias characteristics follow thermionic emission theory, and the extracted Schottky barrier heights closel...
متن کاملDesign of vertically-stacked polychromatic light-emitting diodes.
A new design for a polychromatic light-emitting diode (LED) is proposed and demonstrated. LED chips of the primary colors are physically stacked on top of each other. Light emitted from each layer of the stack passes through each other, and thus is mixed naturally without additional optics. As a color-tunable device, a wide range of colors can be generated, making it suitable for display purpos...
متن کاملMMICs for Broadband Receiver Applications
This paper details the design, realisation and measured performance of a set of MMICs for broadband receiver applications. Five different MMICs are described: A 0.5 to 20GHz dual channel limiter, a 2 to 18GHz dual channel Low Noise Amplifier (LNA), a DC to 20GHz dual channel Single Pole Double Throw (SPDT) switch, a 2 to 18GHz upconverter and a companion downconverter. The MMICs can be used to ...
متن کاملapplication of upfc based on svpwm for power quality improvement
در سالهای اخیر،اختلالات کیفیت توان مهمترین موضوع می باشد که محققان زیادی را برای پیدا کردن راه حلی برای حل آن علاقه مند ساخته است.امروزه کیفیت توان در سیستم قدرت برای مراکز صنعتی،تجاری وکاربردهای بیمارستانی مسئله مهمی می باشد.مشکل ولتاژمثل شرایط افت ولتاژواضافه جریان ناشی از اتصال کوتاه مدار یا وقوع خطا در سیستم بیشتر مورد توجه می باشد. برای مطالعه افت ولتاژ واضافه جریان،محققان زیادی کار کرده ...
15 صفحه اولذخیره در منابع من
با ذخیره ی این منبع در منابع من، دسترسی به آن را برای استفاده های بعدی آسان تر کنید
ژورنال
عنوان ژورنال: Semiconductor Science and Technology
سال: 2016
ISSN: 0268-1242,1361-6641
DOI: 10.1088/0268-1242/31/7/075007